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SSM3J356R,LF P-Kanal 60V 2 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
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10 0,22500 2,25 €
25 0,21520 5,38 €
100 0,11350 11,35 €
500 0,10058 50,29 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SSM3J356RLFTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 30.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,07425 €
  • Digi-Reel®  : SSM3J356RLFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 31.194 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SSM3J356R,LF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SSM3J356RLFCT-ND
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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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Hersteller-Teilenummer SSM3J356R,LF
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Beschreibung MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 60V 2 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F

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Kundenreferenz
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Datenblätter SSM3J356R
Vorgestelltes Produkt U-MOSVIII-H Series Industrial MOSFETs
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Kategorien
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVI
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8,3nC @ 10V
Vgs (Max.) +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23F
Gehäuse / Hülle SOT-23-3 flache Anschlüsse
Basis der Teilenummer TLP130
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SSM3J356RLFCT