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SSM3J338R,LF P-Kanal 12V 6 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F
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SSM3J338R,LF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SSM3J338RLFDKR-ND
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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

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Hersteller-Teilenummer SSM3J338R,LF
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Beschreibung MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
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Standardlieferzeit des Herstellers 12 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 12V 6 A (Ta) 1W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23F

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Datenblätter SSM3J338R
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Serie U-MOSVII
Verpackung Digi-Reel® 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 8V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 17,6mOhm bei 6A, 8V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19,5nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1400pF @ 6V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23F
Gehäuse / Hülle SOT-23-3 flache Anschlüsse
Basis der Teilenummer TLP220
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SSM3J338RLFDKR