EUR | USD
Favoriten

Preise & Beschaffung
47.565 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 1,53000 1,53 €
10 1,37400 13,74 €
25 1,29560 32,39 €
100 1,01080 101,08 €
250 0,98484 246,21 €
500 0,85528 427,64 €
1.000 0,72569 725,69 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 296-30573-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 47.500 - Sofort
  • Stückpreis: 0,68153 €
  • Digi-Reel®  : 296-30573-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 47.565 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 296-41958-2-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 250
  • Verfügbare Menge: 3.000 - Sofort
  • Stückpreis: 1,07640 €
  • Gurtabschnitt (CT)  : 296-41958-1-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 3.157 - Sofort
  • Stückpreis: 1,71000 €
  • Digi-Reel®  : 296-41958-6-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 3.157 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

CSD18531Q5A

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 296-30573-1-ND
Kopieren  
Hersteller

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer CSD18531Q5A
Kopieren  
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 8SON
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 19 A (Ta), 100 A (Tc) 3,1W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage 8-VSONP (5x6)

Kopieren  
Dokumente & Medien
Datenblätter CSD18531Q5A
Vorgestelltes Produkt Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
Power Management
Hersteller-Produktseite CSD18531Q5A Specifications
EDA/CAD-Modelle Herunterladen von Ultra Librarian
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Texas Instruments
Serie NexFET™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 19 A (Ta), 100 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 4,6mOhm bei 22A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 43nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 3840pF @ 30V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-VSONP (5x6)
Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Basis der Teilenummer CSD18531
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

DRV8711DCPR

IC MTR DRV BIPOLR 8-52V 38HTSSOP

Texas Instruments

3,69000 € Details

CSD18504Q5A

MOSFET N-CH 40V 8SON

Texas Instruments

0,94000 € Details

LM74610QDGKRQ1

IC SMART DIODE CTLR 8VSSOP

Texas Instruments

2,10000 € Details

CSD18501Q5A

MOSFET N-CH 40V 8SON

Texas Instruments

1,38000 € Details

CSD18534Q5A

MOSFET N-CH 60V 8SON

Texas Instruments

0,88000 € Details

PDS760-13

DIODE SCHOTTKY 60V 7A POWERDI5

Diodes Incorporated

1,39000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 296-30573-1