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SCT3030ALGC11 N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
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Menge
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 20,70000 20,70 €
10 19,09100 190,91 €
25 18,23280 455,82 €
100 16,08770 1.608,77 €
500 13,72816 6.864,08 €
1.000 13,51365 13.513,65 €
2.500 13,19190 32.979,74 €
5.000 12,87014 64.350,72 €

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24,01200 €

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SCT3030ALGC11

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT3030ALGC11-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3030ALGC11
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Beschreibung MOSFET NCH 650V 70A TO247N
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 39mOhm bei 27A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13,3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 104nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1526pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 262W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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