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SCT3030ALGC11 N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N
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1 21,97000 21,97 €
10 20,26400 202,64 €
25 19,35320 483,83 €
100 17,30420 1.730,42 €
250 16,50728 4.126,82 €
500 15,93804 7.969,02 €

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SCT3030ALGC11

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SCT3030ALGC11-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SCT3030ALGC11
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Beschreibung MOSFET NCH 650V 70A TO247N
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Standardlieferzeit des Herstellers 21 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 650V 70 A (Tc) 262W (Tc) Durchkontaktierung TO-247N

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Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Rohm Semiconductor
Serie -
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 70 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 39mOhm bei 27A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id 5,6V bei 13,3mA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 104nC @ 18V
Vgs (Max.) +22V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1526pF @ 500V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 262W (Tc)
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247N
Gehäuse / Hülle TO-247-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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