DTC114TCAHZGT116 Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN - vorgespannt + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Oberflächenmontage SST3
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DTC114TCAHZGT116

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DTC114TCAHZGT116CT-ND
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Hersteller

Rohm Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer DTC114TCAHZGT116
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Beschreibung NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
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Detaillierte Beschreibung

Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung NPN - vorgespannt + Diode 50V 100mA 250MHz 350mW Oberflächenmontage SST3

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Hersteller Rohm Semiconductor
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Transistor-Typ NPN - vorgespannt + Diode
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 bei 1mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 300mV bei 1mA, 10mA
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.) 500 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung - Max. 350mW
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten SST3
Basis der Teilenummer DTC114
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DTC114TCAHZGT116CT