EUR | USD
Favoriten

NTK3139PT1G P-Kanal 20V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-723
Preise & Beschaffung
19.046 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,44000 €0,44
10 0,30400 €3,04
25 0,28280 €7,07
100 0,15350 €15,35
500 0,12524 €62,62
1.000 0,09292 €92,92

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Stückpreis
€0,44000

Ohne MwSt.

€0,52360

Mit MwSt.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : NTK3139PT5GOSTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 8.000
  • Verfügbare Menge: 8.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,07474 €
  • Gurtabschnitt (CT)  : NTK3139PT5GOSCT-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.011 - Sofort
  • Stückpreis: 0,44000 €
  • Digi-Reel®  : NTK3139PT5GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 8.011 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : NTK3139PT1GOSTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 4.000
  • Verfügbare Menge: 16.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,07818 €
  • Digi-Reel®  : NTK3139PT1GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 19.046 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

NTK3139PT1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer NTK3139PT1GOSCT-ND
Kopieren  
Hersteller

ON Semiconductor

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer NTK3139PT1G
Kopieren  
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 41 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 20V 660mA (Ta) 310mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-723

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter NTK3139P
RoHS-Informationen Material Declaration NTK3139PT1G
HTML-Datenblatt NTK3139P
EDA- / CAD-Modelle NTK3139PT1G by SnapEDA
NTK3139PT1G by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 660mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 480mOhm bei 780mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 250µA
Vgs (Max.) ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 170pF @ 16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 310mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-723
Gehäuse / Hülle SOT-723
Basis der Teilenummer NTK3139
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

NTK3134NT1G

MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723

ON Semiconductor

0,31000 € Details

SSM3K36MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM

Toshiba Semiconductor and Storage

0,34000 € Details

NTK3043NT1G

MOSFET N-CH 20V 210MA SOT723

ON Semiconductor

0,30000 € Details

CSD25402Q3A

MOSFET P-CH 20V 76A 8VSON

Texas Instruments

0,77000 € Details

ATV02W120B-HF

TVS DIODE 12V 19.9V SOD123

Comchip Technology

0,31000 € Details

TPD2EUSB30DRTR

TVS DIODE 5.5V 8V SOT3

Texas Instruments

0,49000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen NTK3139PT1GOSCT