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NTJD1155LT1G MOSFETs - Arrays N- und P-Kanal 8V 1,3A 400mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
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NTJD1155LT1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer NTJD1155LT1GOSCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer NTJD1155LT1G
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Beschreibung MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
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Standardlieferzeit des Herstellers 43 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays N- und P-Kanal 8V 1,3A 400mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter NTJD1155L
RoHS-Informationen Material Declaration NTJD1155LT1G
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly/Material Chg 1/Apr/2020
HTML-Datenblatt NTJD1155L
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N- und P-Kanal
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,3A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 175mOhm bei 1,2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs -
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds -
Leistung - Max. 400mW
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis der Teilenummer NTJD11
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen NTJD1155LT1GOSCT