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MMBFJ112 JFET N-Kanal 35V 350mW Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Gurtabschnitt (CT)  : MMBFJ112CT-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 23.890 - Sofort
  • Stückpreis: 0,40000 €

MMBFJ112

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer MMBFJ112DKR-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer MMBFJ112
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Beschreibung JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
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Standardlieferzeit des Herstellers 21 Wochen
Detaillierte Beschreibung

JFET N-Kanal 35V 350mW Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter J111 Datasheet
RoHS-Informationen Material Declaration MMBFJ112
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Mult Devices 27/Sep/2017
PCN-Verpackung Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
EDA- / CAD-Modelle MMBFJ112 by Ultra Librarian
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Digi-Reel® 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS) 35V
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0) 5mA @ 15V
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id 1V @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds -
Widerstand - RDS(On) 50 Ohms
Leistung - Max. 350mW
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Basis der Teilenummer MMBFJ1
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen MMBFJ112DKR