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MBT3906DW1T1G Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 PNP (zweifach) 40V 200mA 250MHz 150mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363
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MBT3906DW1T1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer MBT3906DW1T1GOSCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer MBT3906DW1T1G
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Beschreibung TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88/SC70-6
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Standardlieferzeit des Herstellers 8 Wochen
Detaillierte Beschreibung

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2 PNP (zweifach) 40V 200mA 250MHz 150mW Oberflächenmontage SC-88/SC70-6/SOT-363

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter MBT/SMBT3906DW1T1
RoHS-Informationen Material Declaration MBT3906DW1T1G
PCN-Design/Spezifikation EDS Rating Update Standardized Format 15/June/2007
Copper Wire 08/Jun/2009
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly 30/Jul/2020
HTML-Datenblatt MBT/SMBT3906DW1T1
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Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Transistor-Typ 2 PNP (zweifach)
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 40V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic 400mV bei 5mA, 50mA
Strom - Kollektor, Grenzwert (Ic) (max.) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce 100 bei 10mA, 1V
Leistung - Max. 150mW
Frequenz - Übergang 250MHz
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Gehäusetyp vom Lieferanten SC-88/SC70-6/SOT-363
Basis der Teilenummer MBT3906
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen MBT3906DW1T1GOSCT