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FQB30N06LTM N-Kanal 60V 32 A (Tc) 3,75W (Ta), 79W (Tc) Oberflächenmontage D²PAK (TO-263AB)
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  • Digi-Reel®  : FQB30N06LTMDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 7.391 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FQB30N06LTM

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FQB30N06LTMCT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer FQB30N06LTM
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
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Standardlieferzeit des Herstellers 4 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 32 A (Tc) 3,75W (Ta), 79W (Tc) Oberflächenmontage D²PAK (TO-263AB)

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Dokumente & Medien
Datenblätter FQB30N06L
RoHS-Informationen Material Declaration FQB30N06LTM
PCN-Design/Spezifikation Description Chg 01/Apr/2016
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Assembly Change 24/Sep/2019
PCN-Verpackung Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
TO263 31/Aug/2016
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie QFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 35mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 20nC @ 5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1040pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 3,75W (Ta), 79W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten D²PAK (TO-263AB)
Gehäuse / Hülle TO-263-3, D²Pak (2 Anschlüsse + Fahne), TO-263AB
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
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