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FDV303N N-Kanal 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23
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Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,33000 €0,33
10 0,26900 €2,69
25 0,22480 €5,62
100 0,14230 €14,23
500 0,09360 €46,80
1.000 0,06365 €63,65

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDV303NTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,05741 €
  • Gurtabschnitt (CT)  : FDV303NCT-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,33000 €

FDV303N

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDV303NDKR-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDV303N
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Beschreibung MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 52 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23

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Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Digi-Reel® 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 680mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,7V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2,3nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 50pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer FDV303
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDV303NDKR