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FDS6675BZ P-Kanal 30V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC
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10 0,48800 4,88 €
100 0,37410 37,41 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDS6675BZTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 15.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,20819 €
  • Digi-Reel®  : FDS6675BZDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 15.067 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDS6675BZ

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDS6675BZCT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer FDS6675BZ
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Beschreibung MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 11 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 11 A (Ta) 2,5W (Ta) Oberflächenmontage 8-SOIC

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Dokumente & Medien
Datenblätter FDS6675BZ
RoHS-Informationen Material Declaration FDS6675BZ
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Wafer 6/8 Inch Addition 16/Jun/2014
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
Typ FET P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlicher Drain (Id) bei 25°C 11 A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds ein (max.) @ Id, Vgs @ 25 °C 13mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max) bei Vgs 62nC @ 10V
Vgs (Max.) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 2470pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Basis der Teilenummer FDS6675
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDS6675BZCT