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FDS3890 MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 80V 4,7A 900mW Oberflächenmontage 8-SOIC
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10 1,15200 11,52 €
25 1,09360 27,34 €
100 0,82030 82,03 €
500 0,69532 347,66 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDS3890TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 2.500
  • Verfügbare Menge: 10.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,55860 €
  • Digi-Reel®  : FDS3890DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 11.147 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDS3890

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDS3890CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer FDS3890
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
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Standardlieferzeit des Herstellers 15 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 80V 4,7A 900mW Oberflächenmontage 8-SOIC

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Dokumente & Medien
Datenblätter FDS3890
RoHS-Informationen Material Declaration FDS3890
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 12/Dec/2007
Logo 17/Aug/2017
PCN-Verpackung Mult Devices 24/Oct/2017
Mult MSL1 Pkg Rev 20/Dec/2018
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,7A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 44mOhm bei 4,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1180pF bei 40V
Leistung - Max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Basis der Teilenummer FDS38
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
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