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FDN5630 N-Kanal 60V 1,7 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT-3
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : FDN5630TR-ND
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  • Verfügbare Menge: 42.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,10182 €
  • Digi-Reel®  : FDN5630DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 44.113 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDN5630

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDN5630CT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDN5630
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
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Standardlieferzeit des Herstellers 16 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 1,7 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDN5630
RoHS-Informationen Material Declaration FDN5630
PCN-Design/Spezifikation Data Sheet Rev 01/Sep/2015
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft SSOT3 Assembly/Test Chg 7/Jul/2020
PCN-Verpackung Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN-Teilenummer Orderable Part Number Update 23/Nov/2016
EDA- / CAD-Modelle FDN5630 by SnapEDA
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,7 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 100mOhm bei 1,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 10nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SuperSOT-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer FDN563
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDN5630CT
FDN5630_F095CT
FDN5630_F095CT-ND