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FDC655BN N-Kanal 30V 6,3 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6
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  • Digi-Reel®  : FDC655BNDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 39.624 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

FDC655BN

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer FDC655BNCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer FDC655BN
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6
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Standardlieferzeit des Herstellers 17 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 6,3 A (Ta) 1,6W (Ta) Oberflächenmontage SuperSOT™-6

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter FDC655BN
RoHS-Informationen Material Declaration FDC655BN
PCN-Design/Spezifikation Mold Compound 08/April/2008
Logo 17/Aug/2017
PCN-Montage/Herkunft Mult Changes 14/Jun/2019
PCN-Verpackung Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie PowerTrench®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 25mOhm bei 6,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SuperSOT™-6
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Basis der Teilenummer FDC655
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen FDC655BNCT