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  • Gurtabschnitt (CT)  : BSS138LT3GOSCT-ND
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  • Digi-Reel®  : BSS138LT3GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 77.371 - Sofort
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSS138LT1GOSTR-ND
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  • Digi-Reel®  : BSS138LT1GOSDKR-ND
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  • Verfügbare Menge: 434.440 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSS138LT7G-ND
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BSS138LT1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS138LT1GOSCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer BSS138LT1G
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Beschreibung MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 24 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 50V 200mA (Ta) 225mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS138LT1 Datasheet
RoHS-Informationen Material Declaration BSS138LT1G
Design-Ressourcen Available In the Digi-Key KiCad Library
PCN-Design/Spezifikation Copper Wire 26/May/2009
SOT23 16/Sep/2016
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020
PCN-Verpackung New taping option 15/May/2019
HTML-Datenblatt BSS138LT1 Datasheet
EDA- / CAD-Modelle BSS138LT1G by Ultra Librarian
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 50V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5Ohm bei 200mA, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 1mA
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 50pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 225mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer BSS138
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS138LT1GOSCT