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  • Digi-Reel®  : 2N7002ET1GOSDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 66.255 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : 2N7002ET7G-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 14.000  Nicht auf Lager 
  • Verfügbare Menge: 108.500 - Lagerbestand des Herstellers 
  • Stückpreis: 0,02022 €

2N7002ET1G

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer 2N7002ET1GOSCT-ND
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Hersteller

ON Semiconductor

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Hersteller-Teilenummer 2N7002ET1G
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Beschreibung MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 40 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter 2N7002E Datasheet
RoHS-Informationen Material Declaration 2N7002ET1G
Vorgestelltes Produkt Cordless Power Tools
PCN-Design/Spezifikation Glue Mount Process 11/July/2008
SOT23 16/Sep/2016
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Mold Comp Chg 1/Apr/2020
PCN-Verpackung New taping option 15/May/2019
HTML-Datenblatt 2N7002E Datasheet
EDA- / CAD-Modelle 2N7002ET1G by Ultra Librarian
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Kategorien
Hersteller ON Semiconductor
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 260mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,5Ohm bei 240mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,81nC @ 5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 26,7pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 300mW (Tj)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer 2N7002
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen 2N7002ET1GOSCT