IRLZ24NPBF N-Kanal 55V 18 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRLZ24NPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLZ24NPBF-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRLZ24NPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 55V 18A TO220AB
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Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 55V 18 A (Tc) 45W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLZ24NPbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019
Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020
PCN-Verpackung Package Drawing Update 19/Aug/2015
HTML-Datenblatt IRLZ24NPbF
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Stange 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 5V
Vgs (Max.) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 480pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Gehäuse / Hülle TO-220-3
Basis der Teilenummer IRLZ24
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 50
Andere Namen *IRLZ24NPBF
SP001553022