EUR | USD
Favoriten

IRLML9303TRPBF P-Kanal 30V 2,3 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
Preise & Beschaffung
9.675 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,30000 €0,30
10 0,21100 €2,11
25 0,20240 €5,06
100 0,10680 €10,68
500 0,09460 €47,30
1.000 0,07361 €73,61

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Stückpreis
€0,30000

Ohne MwSt.

€0,35700

Mit MwSt.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRLML9303TRPBFTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 9.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,06954 €
  • Digi-Reel®  : IRLML9303TRPBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 9.675 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRLML9303TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLML9303TRPBFCT-ND
Kopieren  
Hersteller

Infineon Technologies

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer IRLML9303TRPBF
Kopieren  
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT23
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 30V 2,3 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLML9303TRPbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Design-Ressourcen IRLML9303TRPBF Saber Model
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site Addition 13/Mar/2015
PCN-Verpackung Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTML-Datenblatt IRLML9303TRPbF
EDA- / CAD-Modelle IRLML9303TRPBF by Ultra Librarian
Simulationsmodelle IRLML9303TRPBF Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 165mOhm bei 2,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 10µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 160pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

IRLML6344TRPBF

MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23

Infineon Technologies

0,36000 € Details

2N7002DW-7-F

MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT-363

Diodes Incorporated

0,28000 € Details

IRLML6401TRPBF

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23

Infineon Technologies

0,31000 € Details

IRLML6346TRPBF

MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23

Infineon Technologies

0,36000 € Details

IRLML2030TRPBF

MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT23

Infineon Technologies

0,32000 € Details

FMMT495TA

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3

Diodes Incorporated

0,33000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRLML9303TRPBFCT