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IRLML6401TRPBF P-Kanal 12V 4,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
Preise & Beschaffung
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,31000 €0,31
10 0,24500 €2,45
25 0,23440 €5,86
100 0,14700 €14,70
500 0,13612 €68,06
1.000 0,09257 €92,57

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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRLML6401PBFTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,08521 €
  • Digi-Reel®  : IRLML6401PBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRLML6401TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLML6401PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRLML6401TRPBF
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Beschreibung MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
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Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 12V 4,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23

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Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 12V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50mOhm bei 4,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 5V
Vgs (Max.) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 830pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRLML6401TRPBF
IRLML6401GTRPBFCT
IRLML6401GTRPBFCT-ND
IRLML6401PBFCT