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IRLML6246TRPBF N-Kanal 20V 4,1 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRLML6246TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLML6246TRPBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRLML6246TRPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 4,1 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLML6246TRPBF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Design-Ressourcen IRLML6246TRPBF Saber Model
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN-Verpackung Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTML-Datenblatt IRLML6246TRPBF
EDA- / CAD-Modelle IRLML6246TRPBF by Ultra Librarian
IRLML6246TRPBF by SnapEDA
Simulationsmodelle IRLML6246TRPBF Spice Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,1 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 46mOhm bei 4,1A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,1V bei 5µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3,5nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 290pF @ 16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRLML6246TRPBFCT