EUR | USD
Favoriten

IRLML2060TRPBF N-Kanal 60V 1,2 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
Preise & Beschaffung
45.027 Artikel auf Lager
Kann sofort versendet werden
 

Menge
Alle Preise verstehen sich in EUR.
Preisreduzierung Stückpreis Gesamtpreis
1 0,29000 0,29 €
10 0,22000 2,20 €
25 0,21040 5,26 €
100 0,13210 13,21 €
500 0,12230 61,15 €
1.000 0,08316 83,16 €

Senden Sie eine Angebotsanfrage für Mengen, die größer sind, als die oben angezeigten.

Stückpreis
0,29000 €

Ohne MwSt.

0,34510 €

Mit MwSt.

Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRLML2060TRPBFTR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 42.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,07292 €
  • Digi-Reel®  : IRLML2060TRPBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 45.027 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRLML2060TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLML2060TRPBFCT-ND
Kopieren  
Hersteller

Infineon Technologies

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer IRLML2060TRPBF
Kopieren  
Beschreibung MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Kopieren  
Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 60V 1,2 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLML2060TRPbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Design-Ressourcen IRLML2060TRPBF Saber Model
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site Addition 13/Mar/2015
PCN-Verpackung Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
EDA- / CAD-Modelle IRLML2060TRPBF by SnapEDA
Simulationsmodelle IRLML2060TRPBF Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,2 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 480mOhm bei 1,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,67nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 64pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Kits

MOSFET1-KIT

20-100V FETS SOT23 10PC 18VALUES

Infineon Technologies

29,56000 € Details
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse sein

ZXMP6A13FTA

MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3

Diodes Incorporated

0,43000 € Details

5007

PC TEST POINT COMPACT WHITE

Keystone Electronics

0,33000 € Details

BSZ100N06LS3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Infineon Technologies

0,71000 € Details

SN74CBT3253CD

IC MUX/DEMUX 2 X 4:1 16SOIC

Texas Instruments

0,51000 € Details

5650907-5

CONN DIN PLUG 150POS PCB RA GOLD

TE Connectivity AMP Connectors

6,48000 € Details

SN74LVC3G17DCUR

IC BUFFER NON-INVERT 5.5V US8

Texas Instruments

0,36000 € Details
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRLML2060TRPBFCT