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IRLML0030TRPBF N-Kanal 30V 5,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
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  • Digi-Reel®  : IRLML0030TRPBFDKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRLML0030TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRLML0030TRPBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRLML0030TRPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 26 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 30V 5,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRLML0030TRPBF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Design-Ressourcen IRLML0030TRPBF Saber Model
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Assembly Site Addition 17/Dec/2014
PCN-Verpackung Packing Material Update 16/Sep/2016
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
Simulationsmodelle IRLML0030TRPBF Spice Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 27mOhm bei 5,2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 2,6nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 382pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,3W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer IRLML0030
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Kits

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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRLML0030TRPBFCT