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IRFML8244TRPBF N-Kanal 25V 5,8 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23
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  • Digi-Reel®  : IRFML8244TRPBFDKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRFML8244TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRFML8244TRPBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRFML8244TRPBF
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Beschreibung MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 25V 5,8 A (Ta) 1,25W (Ta) Oberflächenmontage SOT-23

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRFML8244TRPBF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Design-Ressourcen IRFML8244TRPBF Saber Model
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013
PCN-Verpackung Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020
HTML-Datenblatt IRFML8244TRPBF
EDA- / CAD-Modelle IRFML8244TRPBF by SnapEDA
Simulationsmodelle IRFML8244TRPBF Spice Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,8 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 10µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 5,4nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 430pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 1,25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRFML8244TRPBFCT