EUR | USD

IRF7902TRPBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 6,4 A, 9,7 A 1,4W, 2W Oberflächenmontage 8-SO
Nicht auf Lager

IRF7902TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF7902TRPBFCT-ND
Kopieren  
Hersteller

Infineon Technologies

Kopieren  
Hersteller-Teilenummer IRF7902TRPBF
Kopieren  
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Kopieren  
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 6,4 A, 9,7 A 1,4W, 2W Oberflächenmontage 8-SO

Kopieren  
Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF7902PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Obsoleszenz/ EOL IRF7902TRPBF EOL 30/Apr/2019
PCN-Montage/Herkunft Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN-Verpackung Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
HTML-Datenblatt IRF7902PbF
Simulationsmodelle IRF7902PBF Saber File
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Obsolet
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,4 A, 9,7 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22,6mOhm bei 6,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,25V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,9nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 580pF bei 15V
Leistung - Max. 1,4W, 2W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer IRF7902PBF
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRF7902TRPBFCT