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IRF7313TRPBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 6,5A 2W Oberflächenmontage 8-SO
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10 0,60300 €6,03
25 0,56600 €14,15
100 0,46200 €46,20
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : IRF7313PBFTR-ND
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  • Digi-Reel®  : IRF7313PBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 3.500 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRF7313TRPBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF7313PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF7313TRPBF
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 6,5A 2W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF7313PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Design/Spezifikation Mult Dev Label Chgs Aug/2020
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Chg 18/Dec/2020
PCN-Verpackung Package Drawing Update 19/Aug/2015
Packing Material Update 16/Sep/2016
HTML-Datenblatt IRF7313PbF
Simulationsmodelle IRF7313 Saber Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,5A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 5,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 33nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 650pF bei 25V
Leistung - Max. 2W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer IRF7313
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen *IRF7313TRPBF
IRF7313PBFCT