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IRF7311PBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 20V 6,6A 2W Oberflächenmontage 8-SO
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  • Stückpreis: 0,87000 €
  • Digi-Reel®  : IRF7311PBFDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 5.283 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

IRF7311PBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF7311PBF-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF7311PBF
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC
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Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 20V 6,6A 2W Oberflächenmontage 8-SO

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF7311PBF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Warehouse Transfer 29/Jul/2015
PCN-Verpackung Package Drawing Update 19/Aug/2015
Mult Dev Tube Pkg Std 27/Dec/2018
PCN-Bauteilstatusänderung Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018
HTML-Datenblatt IRF7311PBF
Simulationsmodelle IRF7311TRPBF Saber Model
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Stange 
Status der Komponente Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6,6A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 29mOhm bei 6A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 700mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 27nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 900pF bei 15V
Leistung - Max. 2W
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SO
Basis der Teilenummer IRF7311PBF
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 3.800
Andere Namen SP001572034