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IRF6802SDTR1PBF MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 25V 16A 1,7W Oberflächenmontage DIRECTFET™ SA
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IRF6802SDTR1PBF

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF6802SDTR1PBFCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF6802SDTR1PBF
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 25V 16A SA
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Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 25V 16A 1,7W Oberflächenmontage DIRECTFET™ SA

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF6802SD (TR) PBF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Obsoleszenz/ EOL Multiple Devices 20/Dec/2013
PCN-Weiteres MSL Update 20/Feb/2014
HTML-Datenblatt IRF6802SD (TR) PBF
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Obsolet
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 16A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350pF bei 13V
Leistung - Max. 1,7W
Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle DirectFET™, isometrisch, SA
Gehäusetyp vom Lieferanten DIRECTFET™ SA
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRF6802SDTR1PBFCT