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IRF6723M2DTR1P MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 15A 2,7W Oberflächenmontage DIRECTFET™ MA
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IRF6723M2DTR1P

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer IRF6723M2DTR1PCT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer IRF6723M2DTR1P
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Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
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Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays 2 N-Kanal (zweifach) 30V 15A 2,7W Oberflächenmontage DIRECTFET™ MA

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter IRF6723M2DTR(1)PbF
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) IR Part Numbering System
Produktschulungsmodul(e) High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
Discrete Power MOSFETs 40V and Below
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Obsoleszenz/ EOL Multiple Devices 20/Dec/2013
PCN-Montage/Herkunft DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie HEXFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Obsolet
FET-Typ 2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,6mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 25µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1380pF bei 15V
Leistung - Max. 2,7W
Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle DirectFET™, isometrisch, MA
Gehäusetyp vom Lieferanten DIRECTFET™ MA
Basis der Teilenummer IRF6723M2DPBF
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen IRF6723M2DTR1PCT