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BSS84PH6433XTMA1 P-Kanal 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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25 0,15840 3,96 €
100 0,07750 7,75 €
500 0,06464 32,32 €
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSS84PH6433XTMA1TR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 10.000
  • Verfügbare Menge: 120.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,03326 €
  • Digi-Reel®  : BSS84PH6433XTMA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 120.504 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSS84PH6433XTMA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS84PH6433XTMA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSS84PH6433XTMA1
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Beschreibung MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23
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Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 60V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS84P
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Plating Supplier/Wafer Site REV 14/Feb/2017
HTML-Datenblatt BSS84P
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 170mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8Ohm bei 170mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 20µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 19pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS84PH6433XTMA1CT