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BSS83PH6327XTSA1 P-Kanal 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Digi-Reel®  : BSS83PH6327XTSA1DKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSS83PH6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS83PH6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSS83PH6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET P-CH 60V 0.33A SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 39 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 60V 330mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS83P
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Lead Plate Supplier Add 26/Apr/2017
PCN-Verpackung Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTML-Datenblatt BSS83P
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 60V P-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 330mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2Ohm bei 330mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 80µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3,57nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 78pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS83P H6327CT
BSS83P H6327CT-ND
BSS83PH6327XTSA1CT