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BSS214NH6327XTSA1 N-Kanal 20V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSS214NH6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS214NH6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSS214NH6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 52 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 1,5 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS214N
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
PCN-Verpackung Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTML-Datenblatt BSS214N
Simulationsmodelle OptiMOS™ Power MOSFET 20V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie OptiMOS™
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,5 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 140mOhm bei 1,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,2V bei 3,7µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,8nC @ 5V
Vgs (Max.) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 143pF @ 10V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS214N H6327CT
BSS214N H6327CT-ND
BSS214NH6327XTSA1CT