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BSS131H6327XTSA1 N-Kanal 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BSS131H6327XTSA1TR-ND
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  • Stückpreis: 0,06101 €
  • Digi-Reel®  : BSS131H6327XTSA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 87.701 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSS131H6327XTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS131H6327XTSA1CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSS131H6327XTSA1
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Beschreibung MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 240V 110mA (Ta) 360mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS131
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft PCN 2016-052-A Retraction 25/Apr/2017
PCN-Verpackung Carrier Tape Update 03/Jun/2015
HTML-Datenblatt BSS131
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 240V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 110mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14Ohm bei 100mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,8V bei 56µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 3,1nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 77pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS131 H6327CT
BSS131 H6327CT-ND
BSS131H6327XTSA1CT