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BSS127H6327XTSA2 N-Kanal 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Digi-Reel®  : BSS127H6327XTSA2DKR-ND
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

BSS127H6327XTSA2

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BSS127H6327XTSA2CT-ND
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Hersteller

Infineon Technologies

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Hersteller-Teilenummer BSS127H6327XTSA2
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Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
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Standardlieferzeit des Herstellers 10 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 600V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter BSS127
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
Vorgestelltes Produkt Data Processing Systems
PCN-Montage/Herkunft Plating Supplier/Wafer Site Add 14/Feb/2017
HTML-Datenblatt BSS127
Simulationsmodelle MOSFET OptiMOS™ 240V, 400V, 600V and 800V N-Channel Spice Model
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie SIPMOS®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 500Ohm bei 16mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,6V bei 8µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 28pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen BSS127H6327XTSA2CT