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BCR183E6327HTSA1 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP mit Vorspannung 50V 100mA 200MHz 200mW Oberflächenmontage SOT-23-3
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  • Digi-Reel®  : BCR183E6327HTSA1DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 21.917 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : BCR183E6433HTMA1TR-ND
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  • Verfügbare Menge: 0
  • Stückpreis: 0,02282 €

BCR183E6327HTSA1

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer BCR183E6327HTSA1TR-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer BCR183E6327HTSA1
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Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT23-3
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Detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP mit Vorspannung 50V 100mA 200MHz 200mW Oberflächenmontage SOT-23-3

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Dokumente & Medien
Datenblätter BCR183
Sonstige(s) verwandte(s) Dokument(e) Part Number Guide
PCN-Obsoleszenz/ EOL Multi Device EOL 4/Feb/2016
Mult Dev EOL 17/Dec/2018
Mult Dev LTB Rev 17/Dec/2018
PCN-Verpackung Carrier Tape Update 03/Jun/2015
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Infineon Technologies
Serie -
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 
Status der Komponente Nur verfügbar bis
Transistor-Typ PNP mit Vorspannung
Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Widerstand - Emitter Basis (R2) 10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 bei 5mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic 300mV bei 500µA, 10mA
Strom - Kollektorrest (Ic) (max.) 100 nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung - max. 200mW
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3
Basis der Teilenummer BCR183
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 3.000
Andere Namen BCR 183 E6327
BCR 183 E6327-ND
BCR 183 E6327TR-ND
BCR183E6327
BCR183E6327BTSA1
BCR183E6327HTSA1TR
BCR183E6327XT
SP000010794