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DMP10H4D2S-7 P-Kanal 100V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23
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DMP10H4D2S-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMP10H4D2S-7DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMP10H4D2S-7
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Beschreibung MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
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Standardlieferzeit des Herstellers 33 Wochen
Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 100V 270mA (Ta) 380mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-23

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMP10H4D2S
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Site Add 1/Jul/2020
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 270mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,2Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,8nC @ 10V
Vgs (Max.) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 87pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 380mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMP10H4D2S-7DICT