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DMN26D0UFB4-7 N-Kanal 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMN26D0UFB4-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMN26D0UFB4-7DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMN26D0UFB4-7
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 230MA 3DFN
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMN26D0UFB4
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
PCN-Design/Spezifikation Bond Wire 11/Nov/2011
DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
HTML-Datenblatt DMN26D0UFB4
EDA- / CAD-Modelle DMN26D0UFB4-7 by Ultra Librarian
DMN26D0UFB4-7 by SnapEDA
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 230mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3Ohm bei 100mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,1V bei 250µA
Vgs (Max.) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14,1pF @ 15V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
Basis der Teilenummer DMN26
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMN26D0UFB4-7DICT