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DMN2400UFB-7 N-Kanal 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Oberflächenmontage 3-X1DFN1006
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMN2400UFB-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMN2400UFB-7DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMN2400UFB-7
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
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Standardlieferzeit des Herstellers 22 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Oberflächenmontage 3-X1DFN1006

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMN2400UFB
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
PCN-Design/Spezifikation DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Fab Add 8/Aug/2012
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Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 750mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 550mOhm bei 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,5nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 36pF @ 16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 470mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten 3-X1DFN1006
Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMN2400UFB-7DICT