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DMN2300UFB4-7B N-Kanal 20V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3
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10 0,24400 €2,44
25 0,22680 €5,67
100 0,12310 €12,31
500 0,10046 €50,23
1.000 0,07453 €74,53
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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : DMN2300UFB4-7BDITR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 10.000
  • Verfügbare Menge: 250.000 - Sofort
  • Stückpreis: 0,04771 €
  • Digi-Reel®  : DMN2300UFB4-7BDIDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 260.171 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMN2300UFB4-7B

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMN2300UFB4-7BDICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMN2300UFB4-7B
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
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Standardlieferzeit des Herstellers 18 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 1,3 A (Ta) 500mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMN2300UFB4
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 175mOhm bei 300mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 1,6nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 64,3pF @ 25V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 500mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMN2300UFB4-7BDICT