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Alternative Verpackung
  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : DMN2005LP4KDITR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 3.000
  • Verfügbare Menge: 123.000 - Sofort
    75.000 - Lagerbestand des Herstellers 
  • Stückpreis: 0,07827 €
  • Digi-Reel®  : DMN2005LP4KDIDKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 128.960 - Sofort
    75.000 - Lagerbestand des Herstellers 
  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMN2005LP4K-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMN2005LP4KDICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMN2005LP4K-7
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
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Standardlieferzeit des Herstellers 30 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Oberflächenmontage X2-DFN1006-3

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMN2005LP4K
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
PCN-Design/Spezifikation Bond Wire 11/Nov/2011
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Assembly/Test Sit Add 1/Mar/2018
Produkteigenschaften
Typ Beschreibung Alle auswählen
Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,5V, 4V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5Ohm bei 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) bei Id 900mV bei 100µA
Vgs (Max.) ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 41pF @ 3V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 400mW (Ta)
Betriebstemperatur -65°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten X2-DFN1006-3
Gehäuse / Hülle 3-XFDFN
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMN2005LP4KDICT