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DMG6602SVTQ-7 MOSFETs - Arrays N- und P-Kanal 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW Oberflächenmontage TSOT-26
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  • Mindestbestellmenge ist: 1
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  • Stückpreis: Digi-Reel®

DMG6602SVTQ-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMG6602SVTQ-7DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMG6602SVTQ-7
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Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V TSOT26
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Standardlieferzeit des Herstellers 30 Wochen
Detaillierte Beschreibung

MOSFETs - Arrays N- und P-Kanal 30V 3,4 A, 2,8 A 840mW Oberflächenmontage TSOT-26

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMG6602SVTQ
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
HTML-Datenblatt DMG6602SVTQ
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N- und P-Kanal
FET-Merkmal Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,4 A, 2,8 A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 60mOhm bei 3,1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 400pF bei 15V
Leistung - Max. 840mW
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
Gehäusetyp vom Lieferanten TSOT-26
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen DMG6602SVTQ-7DICT