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DMG1012T-7 N-Kanal 20V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-523
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  • Verfügbare Menge: 0
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DMG1012T-7

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer DMG1012T-7DICT-ND
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Hersteller

Diodes Incorporated

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Hersteller-Teilenummer DMG1012T-7
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Beschreibung MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
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Standardlieferzeit des Herstellers 44 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 20V 630mA (Ta) 280mW (Ta) Oberflächenmontage SOT-523

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter DMG1012T
RoHS-Informationen Diodes RoHS 3 Cert
Design-Ressourcen Available In the Digi-Key KiCad Library
PCN-Design/Spezifikation Bond Wire 11/Nov/2011
PCN-Montage/Herkunft Mult Dev Wafer Chgs 4/Oct/2019
HTML-Datenblatt DMG1012T
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Diodes Incorporated
Serie -
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 630mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 400mOhm bei 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 0,74nC @ 4,5V
Vgs (Max.) ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 60,67pF @ 16V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 280mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-523
Gehäuse / Hülle SOT-523
Basis der Teilenummer DMG1012
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Standardpaket 1
Andere Namen DMG1012T-7DICT