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AS6C8016-55ZIN SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mb (512K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II

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AS6C8016-55ZIN

Datenblatt

Digi-Key Teilenummer	1450-1041-ND	Kopieren
Hersteller	Alliance Memory, Inc.	Kopieren
Hersteller-Teilenummer	AS6C8016-55ZIN	Kopieren
Beschreibung	IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	Kopieren
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Detaillierte Beschreibung	SRAM - Asynchron Speicher IC 8Mb (512K x 16) Parallel 55ns 44-TSOP II	Kopieren
Kundenreferenz

Dokumente & Medien

Datenblätter	AS6C8016
RoHS-Informationen	Alliance Memory RoHS3 Cert Alliance Memory REACH 211 Cert

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorien	Integrierte Schaltungen (ICs)
Kategorien	Speicher
Hersteller	Alliance Memory, Inc.
Serie	-
Verpackung	Tablett
Status der Komponente	Aktiv
Speichertyp	Flüchtig
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM - Asynchron
Speichergröße	8Mb (512K x 16)
Speicherschnittstelle	Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite	55ns
Zugriffszeit	55ns
Spannung - Versorgung	2,7V bis 5,5V
Betriebstemperatur	-40°C bis 85°C (TA)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	44-TSOP (0,400", 10,16mm Breite)
Gehäusetyp vom Lieferanten	44-TSOP II
Basis der Teilenummer	AS6C8016