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SI2305DS-T1-E3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SI2305DS-T1-E3CT-ND
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Hersteller

Vishay Siliconix

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Hersteller-Teilenummer SI2305DS-T1-E3
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Beschreibung MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3
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Detaillierte Beschreibung

P-Kanal 8V 3,5 A (Ta) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236)

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Kundenreferenz
Dokumente & Medien
Datenblätter SI2305DS
PCN-Obsoleszenz/ EOL SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014
HTML-Datenblatt SI2305DS
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie *
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Obsolet
FET-Typ P-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,5 A (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 52mOhm bei 3,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 800mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15nC @ 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1245pF @ 4V
FET-Merkmal -
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-23-3 (TO-236)
Gehäuse / Hülle TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis der Teilenummer SI2305
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
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