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SI7611 Vishay Siliconix - Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
SI7611DN-T1-GE3 Datasheet SI7611DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7611DN-T1-GE3TR-ND SI7611DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 15.000 - Sofort Verfügbar: 15.000 0,64904 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 18 A (Tc) 4,5V, 10V 25mOhm bei 9,3A, 10V 3V bei 250µA 62nC @ 10V ±20V 1980pF @ 20V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7611DN-T1-GE3 Datasheet SI7611DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7611DN-T1-GE3CT-ND SI7611DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 15.080 - Sofort Verfügbar: 15.080 1,38000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 18 A (Tc) 4,5V, 10V 25mOhm bei 9,3A, 10V 3V bei 250µA 62nC @ 10V ±20V 1980pF @ 20V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
SI7611DN-T1-GE3 Datasheet SI7611DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI7611DN-T1-GE3DKR-ND SI7611DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8 15.080 - Sofort Verfügbar: 15.080 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 40V 18 A (Tc) 4,5V, 10V 25mOhm bei 9,3A, 10V 3V bei 250µA 62nC @ 10V ±20V 1980pF @ 20V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 PowerPAK® 1212-8
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