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SI2305 Vishay Siliconix - Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
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Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3TR-ND SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 0 Verfügbar: 0 0,11402 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,8 A (Tc) 1,8V, 4,5V 35mOhm bei 4,4A, 4,5V 1V bei 250µA 30nC @ 8V ±8V 960pF @ 4V
-
960mW (Ta), 1,7W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3CT-ND SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 98 - Sofort Verfügbar: 98 0,40000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,8 A (Tc) 1,8V, 4,5V 35mOhm bei 4,4A, 4,5V 1V bei 250µA 30nC @ 8V ±8V 960pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3 Datasheet SI2305CDS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3DKR-ND SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 98 - Sofort Verfügbar: 98 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
TrenchFET® Aktiv P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,8 A (Tc) 1,8V, 4,5V 35mOhm bei 4,4A, 4,5V 1V bei 250µA 30nC @ 8V ±8V 960pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305DS-T1-E3 Datasheet SI2305DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2305DS-T1-E3CT-ND SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 0 Verfügbar: 0
Obsolet
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Gurtabschnitt (CT)
-
Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 3,5 A (Ta)
-
52mOhm bei 3,5A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V
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1245pF @ 4V
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Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305DS-T1-E3 Datasheet SI2305DS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2305DS-T1-E3DKR-ND SI2305DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 3.5A SOT23-3 0 Verfügbar: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel®
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Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 3,5 A (Ta)
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52mOhm bei 3,5A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V
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1245pF @ 4V
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Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-GE3 Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-GE3TR-ND SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0
Obsolet
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
-
960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-GE3 Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-GE3CT-ND SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0
Obsolet
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Gurtabschnitt (CT) TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-GE3 Datasheet SI2305ADS-T1-GE3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-GE3DKR-ND SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel® TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-E3 Datasheet SI2305ADS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-E3TR-ND SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0
Obsolet
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-E3 Datasheet SI2305ADS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-E3CT-ND SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0
Obsolet
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Gurtabschnitt (CT) TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
-
960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2305ADS-T1-E3 Datasheet SI2305ADS-T1-E3 - Vishay Siliconix SI2305ADS-T1-E3DKR-ND SI2305ADS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3 0 Verfügbar: 0 Digi-Reel®
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Digi-Reel® TrenchFET® Obsolet P-Kanal MOSFET (Metalloxid) 8V 5,4 A (Tc) 1,8V, 4,5V 40mOhm bei 4,1A, 4,5V 800mV bei 250µA 15nC @ 4,5V ±8V 740pF @ 4V
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960mW (Ta), 1,7W (Tc) -50°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage SOT-23-3 (TO-236) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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