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IRLML0030 Infineon Technologies - Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzeln

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Mindestbestellmenge ist Verpackung Serie Status der Komponente FET-Typ Technologie Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs Vgs(th) (max.) bei Id Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs Vgs (Max.) Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds FET-Merkmal Verlustleistung (max.) Betriebstemperatur Montagetyp Gehäusetyp vom Lieferanten Gehäuse / Hülle
   
IRLML0030TRPBF Datasheet IRLML0030TRPBF - Infineon Technologies IRLML0030TRPBFTR-ND IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 0 Verfügbar: 0
Standardlieferzeit: 39 Wochen
0,10093 € 3.000 Minimum : 3.000 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
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HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 5,3 A (Ta) 4,5V, 10V 27mOhm bei 5,2A, 10V 2,3V bei 25µA 2,6nC @ 4,5V ±20V 382pF @ 15V
-
1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0030TRPBF Datasheet IRLML0030TRPBF - Infineon Technologies IRLML0030TRPBFCT-ND IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 657 - Sofort Verfügbar: 657 0,36000 € 1 Minimum : 1 Gurtabschnitt (CT)
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 5,3 A (Ta) 4,5V, 10V 27mOhm bei 5,2A, 10V 2,3V bei 25µA 2,6nC @ 4,5V ±20V 382pF @ 15V
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1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML0030TRPBF Datasheet IRLML0030TRPBF - Infineon Technologies IRLML0030TRPBFDKR-ND IRLML0030TRPBF MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23 657 - Sofort Verfügbar: 657 Digi-Reel® 1 Minimum : 1 Digi-Reel®
wechselnde Verpackungseinheit
HEXFET® Aktiv N-Kanal MOSFET (Metalloxid) 30V 5,3 A (Ta) 4,5V, 10V 27mOhm bei 5,2A, 10V 2,3V bei 25µA 2,6nC @ 4,5V ±20V 382pF @ 15V
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1,3W (Ta) -55°C bis 150°C (TJ) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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17:37:53 4.21.2021