Einzelne FETs, MOSFETs

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Hersteller
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ams-OSRAM USA INC.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCatalyst Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyCoolCADCypress Semiconductor CorpDiodes IncorporatedDiotec Semiconductor
Serie
-*18N20Alliance Plastics, BTSAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, HEXFET®
Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablettTasche
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsoletVorläufig
FET-Typ
-N-KanalP-Kanal
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)GaNFET (Kaskoden-Galliumnitrid-FET)MOSFET (Metalloxid)SiC (Siliziumkarbid-Sperrschichttransistor)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V18 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
0V0V, 10V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,29mOhm bei 50A, 10V0,3mOhm bei 200A, 10V0,35mOhm bei 50A, 10V0,4 mOhm bei 50A, 10V0,4mOhm bei 150A, 10V0,4mOhm bei 30A, 10V0,42mOhm bei 50A, 10V0,44mOhm bei 88A, 10V0,45mOhm bei 30A, 10V0,45mOhm bei 50A, 10V0,45mOhm bei 60A, 4,5V0,47mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
400mV bei 1mA (Min)400mV bei 250µA (Min)450mV bei 100µA (Min)450mV bei 1mA (Min)450mV bei 250µA (Min)450mV bei 2mA (Min)500mV bei 250µA (Min)570mV bei 1mA (typisch)600mV bei 1,2mA (Min)600mV bei 1mA (Min)600mV bei 1mA (typisch)600mV bei 250µA (Min)
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0.35 pC @ 4.5 V0.7 pC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5 pF @ 25 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V7 pF @ 3 V
FET-Merkmal
-Mit VerarmungsschichtSchottky-Diode (Körper)Schottky-Diode (isoliert)StandardStrommessungTemperaturmessdiode
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW170mW (Ta)
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-60°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 110°C (TA)-55°C bis 125°C (TA)-55°C bis 125°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 135°C (TJ)-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 150°C-55°C bis 155°C (TJ)
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäusetyp vom Lieferanten
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LDPAK3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCP3-MCPH
Gehäuse / Hülle
2-DFN mit freiliegendem Pad3-DFN mit freiliegendem Pad3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, flache Anschlüsse3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Nicht standardmäßiges3-SMD, SOT-23-3 Variante3-SMD, flache Anschlüsse
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Serie
Gehäuse
Produktstatus
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Vgs (Max.)
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
FET-Merkmal
Verlustleistung (max.)
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäusetyp vom Lieferanten
Gehäuse / Hülle
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
878.034
Vorrätig
1 : 1,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,52059 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V550mOhm bei 100mA, 5V2,5V bei 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
EPC
206.694
Vorrätig
1 : 1,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,52059 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm bei 50mA, 5V2,5V bei 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
16.288
Vorrätig
1 : 1,26000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,52059 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V65mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2051
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
8.033
Vorrätig
1 : 1,17000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,48250 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V1,7 A (Ta)5V25mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1,5mA2.1 nC @ 5 V+6V, -4V258 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
EPC
52.308
Vorrätig
1 : 1,46000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,65570 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V6,8 A (Ta)5V25mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2052
EPC2052
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC
86.239
Vorrätig
1 : 1,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,63096 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V8,2 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4.5 nC @ 5 V+6V, -4V575 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2214
EPC2214
GANFET N-CH 80V 10A DIE
EPC
25.805
Vorrätig
1 : 1,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,70519 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V10 A (Ta)5V20mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V238 pF @ 40 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2054
EPC2054
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
EPC
12.521
Vorrätig
1 : 1,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,81969 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V3 A (Ta)5V43mOhm bei 1A, 5V2,5V bei 1mA4.3 nC @ 5 V+6V, -4V573 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
EPC
33.326
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,94026 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V6 A (Ta)5V30mOhm bei 6A, 5V2,5V bei 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
EPC
12.992
Vorrätig
1 : 2,08000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 0,94026 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V4 A (Ta)5V160mOhm bei 500mA, 5V2,5V bei 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
89.980
Vorrätig
1 : 2,22000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,00212 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
EPC
23.318
Vorrätig
1 : 2,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,01448 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V29 A (Ta)5V3,6mOhm bei 15A, 5V2,5V bei 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
EPC
16.321
Vorrätig
1 : 2,69000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,21243 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V5 A (Ta)5V100mOhm bei 3A, 5V2,5V bei 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2202
EPC2202
GANFET N-CH 80V 18A DIE
EPC
58.504
Vorrätig
1 : 2,54000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,23597 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V18 A (Ta)5V17mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+5.75V, -4V415 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
EPC
182.628
Vorrätig
1 : 2,62000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,27197 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V18 A (Ta)5V13,5mOhm bei 11A, 5V2,5V bei 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2204A
EPC2204A
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
EPC
28.586
Vorrätig
1 : 2,67000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,20254 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V29 A (Ta)5V6mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 4mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V851 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2065
EPC2065
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
EPC
5.178
Vorrätig
1 : 2,96000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,52927 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)80 V60 A (Ta)5V3,6mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 7mA12.2 nC @ 5 V+6V, -4V1449 pF @ 40 VStandard--40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
EPC
10.259
Vorrätig
1 : 3,43000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,66796 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V14 A (Ta)5V22mOhm bei 14A, 5V2,5V bei 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
EPC
27.374
Vorrätig
1 : 3,45000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,67996 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V16 A (Ta)5V7mOhm bei 16A, 5V2,5V bei 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC
105.271
Vorrätig
1 : 3,57000 €
Gurtabschnitt (CT)
1.000 : 1,84786 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V8,5 A (Ta)5V42mOhm bei 7A, 5V2,5V bei 1,5mA2.9 nC @ 5 V+6V, -4V288 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
EPC
31.421
Vorrätig
1 : 3,94000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 1,91995 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)170 V24 A (Ta)5V9mOhm bei 10A, 5V2,5V bei 3mA7.4 nC @ 5 V+6V, -4V836 pF @ 85 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
86.170
Vorrätig
1 : 4,59000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,23194 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V36 A (Ta)5V7mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
EPC
18.177
Vorrätig
1 : 4,51000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,19595 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)40 V53 A (Ta)5V4mOhm bei 33A, 5V2,5V bei 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
EPC
19.927
Vorrätig
1 : 6,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 2,93993 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)100 V48 A (Ta)5V3,8mOhm bei 25A, 5V2,5V bei 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
EPC
8.925
Vorrätig
1 : 6,04000 €
Gurtabschnitt (CT)
2.500 : 3,21243 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für NeukonstruktionenN-KanalGaNFET (Galliumnitrid)200 V22 A (Ta)5V25mOhm bei 12A, 5V2,5V bei 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V---40°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageEinsatzEinsatz
Angezeigt werden
von 45.092

Einzelne FETs, MOSFETs

Diskrete Feldeffekttransistoren (FETs) sind in der Leistungswandlung, der Motorsteuerung, in Halbleiter-Beleuchtungssystemen sowie anderen Anwendungen weit verbreitet, bei denen ihre charakteristische Fähigkeit, dass sie mit hoher Frequenz ein- und ausgeschaltet werden und dabei beträchtliche Ströme leiten können, von Vorteil ist. Sie kommen praktisch universell in Anwendungen mit Nennspannungen von einigen hundert Volt oder weniger zum Einsatz, da bei höheren Spannungen andere Komponententypen wie beispielsweise IGBTs besser geeignet sind.