FET- und MOSFET-Arrays

Resultate : 5.774
Hersteller
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFNâ„¢AlphaMOSAlphaSGTâ„¢CC, CoolSiCâ„¢CAB425M12XM3CoolMOSâ„¢CoolSiCâ„¢CoolSiCâ„¢+DeepGATEâ„¢, STripFETâ„¢ H6
Verpackung
BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeStreifenTablett
Produktstatus
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNicht für NeukonstruktionenNur verfügbar bisObsolet
Technologie
-GaNFET (Galliumnitrid)MOSFET (Metalloxid)SiCFET (Siliziumkarbid)Siliziumkarbid (SiC)
Konfiguration
2 N- und 2 P-Kanal2 N- und 2 P-Kanal (Vollbrücke)2 N- und 2 P-Kanal abgestimmtes Paar2 N-Kanal (Dual), P-Kanal2 N-kanal (dual), schottky2 N-Kanal (Halbbrücke)2 N-Kanal (kaskodiert)2 N-Kanal (Phasenabschnitt)2 N-kanal (zweif. buck-gleichspannungswandler)2 N-Kanal (zweifach)2 N-Kanal (zweifach) abgestimmtes Paar2 N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Source-Pin
FET-Merkmal
-Logikpegel-GateLogikpegel-Gatter, 0,9VLogikpegel-Gatter, 1,2VLogikpegel-Gatter, 1,5VLogikpegel-Gatter, 1,8VLogikpegel-Gatter, 10V-BetriebLogikpegel-Gatter, 2,5VLogikpegel-Gatter, 4,5VLogikpegel-Gatter, 4VLogikpegel-Gatter, 5VMit VerarmungsschichtSiliziumkarbid (SiC)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
0,46mOhm bei 160A, 12V0,762mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,580mOhm bei 160A, 12V0,765mOhm bei 160A, 12V, 0,710mOhm bei 160A, 12V0,8mOhm bei 1200A, 10V0,88mOhm bei 160A, 14V, 0,71mOhm bei 160A, 14V0,88mOhm bei 50A, 10V0,95mOhm bei 30A, 10V0,95mOhm bei 8A, 4,5V0,99mOhm bei 80A, 10V, 1,35mOhm bei 80A, 10V1,039mOhm bei 160A, 12V, 762µOhm bei 160A, 12V1,15mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
10mV bei 10µA10mV bei 1µA10mV bei 20µA20mV bei 10µA20mV bei 1µA20mV bei 20µA180mV bei 1µA200mV bei 2,8A, 200mV bei 1,9A220mV bei 1µA360mV bei 1µA380mV bei 1µA400mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
0,4pC bei 4,5V, 7,3nC bei 4,5V0,45 pC bei 4,5V50pC bei 4,5V0,16nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,22nC bei 5V, 0,044nC bei 5V0,26nC bei 2,5V0,28nC bei 4,5V0,28nC bei 4,5V, 0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V0,3nC bei 4,5V, 0,28nC bei 4,5V0,304nC bei 4,5V0,31nC bei 4,5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2,5pF bei 5V3pF bei 5V5pF bei 3V6pF bei 3V6,2pF bei 10V6,6pF bei 10V7pF bei 10V7pF bei 3V7,1pF bei 10V7,4pF bei 10V7,5pF bei 10V8,5pF bei 3V
Leistung - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Betriebstemperatur
-65°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 125°C-55°C bis 150°C-55°C bis 150°C (TA)-55°C bis 150°C (Tc)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 155°C (TJ)-55°C bis 175°C-55°C bis 175°C (TA)-55°C bis 175°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C
Klasse
-AutomobiltechnikMilitärtechnik
Qualifizierung
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Montagetyp
-ChassisbefestigungDurchkontaktierungOberflächenmontageOberflächenmontage, benetzbare Flanke
Gehäuse / Hülle
4-SMD, ohne Anschlüsse4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN mit freiliegendem Pad4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-Chip-LGA (1,59 x 1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Lagerungsoptionen
Umweltschutzoptionen
Medien
MARKTPLATZPRODUKT
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Verfügbare Menge
Preis
Serie
Verpackung
Produktstatus
Technologie
Konfiguration
FET-Merkmal
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bei Id
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Klasse
Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
305.618
Vorrätig
1 : 0,19000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,03811 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
300mA
1,5Ohm bei 100mA, 10V
2,1V bei 250µA
0,6nC bei 4,5V
40pF bei 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
99.325
Vorrätig
1 : 0,20000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05248 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
60V
230mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
310mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
6-XFDFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
84.696
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,05845 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
600mA
620mOhm bei 600mA, 4,5V
950mV bei 250µA
0,7nC bei 4,5V
21,3pF bei 10V
265mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-XFDFN mit freiliegendem Pad
DFN1010B-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48.781
Vorrätig
1.533.000
Fabrik
1 : 0,25000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06634 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
1,07A, 845mA
450mOhm bei 600mA, 4,5V
1V bei 250µA
0,74nC bei 4,5V
60,67pF bei 10V
330mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
735.808
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05789 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
25pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
166.257
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07368 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
155.181
Vorrätig
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
8.000 : 0,06503 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm bei 200mA, 4,5V
800mV bei 1mA
-
26pF bei 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
98.063
Vorrätig
2.880.000
Fabrik
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07223 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 4,5V
30V
3,4 A, 2,8 A
60mOhm bei 3,1A, 10V
2,3V bei 250µA
13nC bei 10V
400pF bei 15V
840mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
24.254
Vorrätig
3.156.000
Fabrik
1 : 0,27000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,07312 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
30V
3,8 A, 2,5 A
55mOhm bei 3,4A, 10V
1,5V bei 250µA
12,3nC bei 10V
422pF bei 15V
850mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-23-6 dünn, TSOT-23-6
TSOT-26
PMBT2222AYS-QX
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
19.974
Vorrätig
1 : 0,28000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,05834 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
320mA
1,6Ohm bei 500mA, 10V
2,4V bei 250µA
0,8nC bei 4,5V
50pF bei 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
50.159
Vorrätig
1 : 0,29000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,05862 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm bei 800mA, 4,5V, 390mOhm bei 800mA, 4,5V
1V bei 1mA
1nC bei 10V
55pF bei 10V, 100pF bei 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
184.473
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06273 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gatter, 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm bei 100mA, 4,5V
1V bei 1mA
-
12pF bei 10V
300mW
150°C
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PMBT2222AYS-QX
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68.280
Vorrätig
1 : 0,30000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08084 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
860mA
350mOhm bei 200mA, 4,5V
1,5V bei 250µA
0,72nC bei 4,5V
34pF bei 20V
410mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
451.574
Vorrätig
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,08074 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
20V
540mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
150pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
88.180
Vorrätig
54.000
Fabrik
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08439 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
115mA
7,5Ohm bei 50mA, 5V
2V bei 250µA
-
50pF bei 25V
200mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
27.881
Vorrätig
1 : 0,31000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08418 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
630mA
375mOhm bei 630mA, 4,5V
1,5V bei 250µA
3nC bei 4,5V
46pF bei 20V
270mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
35.993
Vorrätig
1 : 0,32000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,06752 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
60V
300mA
3Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,6nC bei 10V
20pF bei 25V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140.571
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,06561 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
30V
100mA
4Ohm bei 10mA, 4V
1,5V bei 100µA
-
8,5pF bei 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
ES6
PEMD4-QX
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
75.374
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,08630 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Nicht für Neukonstruktionen
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
20V
800mA
380mOhm bei 500mA, 4,5V
950mV bei 250µA
0,68nC bei 4,5V
83pF bei 10V
500mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
onsemi
62.852
Vorrätig
1 : 0,33000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,08532 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 P-Kanal (zweifach)
-
20V
430mA
900mOhm bei 430mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
175pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
407.190
Vorrätig
2.256.000
Fabrik
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,08166 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm bei 500mA, 10V
2,5V bei 250µA
0,3nC bei 4,5V
30pF bei 25V, 25pF bei 25V
450mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
onsemi
61.034
Vorrätig
1 : 0,36000 €
Gurtabschnitt (CT)
4.000 : 0,09666 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
N- und P-Kanal
Logikpegel-Gate
20V
540mA, 430mA
550mOhm bei 540mA, 4,5V
1V bei 250µA
2,5nC bei 4,5V
150pF bei 16V
250mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6-XFDFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23.386
Vorrätig
1 : 0,37000 €
Gurtabschnitt (CT)
5.000 : 0,09585 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
30V
590mA
670mOhm bei 590mA, 4,5V
950mV bei 250µA
1,05nC bei 4,5V
30,3pF bei 15V
285mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-XFDFN mit freiliegendem Pad
DFN1010B-6
SOT 363
BSS138DWQ-7
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
20.436
Vorrätig
3.753.000
Fabrik
1 : 0,38000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,10380 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
-
50V
200mA
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
50pF bei 10V
200mW
-55°C bis 150°C (TJ)
Automobiltechnik
AEC-Q101
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
SOT 363
BSS138DW-7-F
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A SOT363
Diodes Incorporated
69.296
Vorrätig
1 : 0,40000 €
Gurtabschnitt (CT)
3.000 : 0,11151 €
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET (Metalloxid)
2 N-Kanal (zweifach)
Logikpegel-Gate
50V
200mA
3,5Ohm bei 220mA, 10V
1,5V bei 250µA
-
50pF bei 10V
200mW
-55°C bis 150°C (TJ)
-
-
Oberflächenmontage
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
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FET- und MOSFET-Arrays


Feldeffekttransistoren (FETs) sind elektronische Komponenten, bei denen die Steuerung des Stromflusses über ein elektrisches Feld erfolgt. Durch das Anlegen einer Spannung an die Gate-Klemme wird die Leitfähigkeit zwischen den Drain- und Source-Klemmen umgeschaltet. FETs werden auch als unipolare Transistoren bezeichnet, da sie nach dem Einzel-Träger-Prinzip arbeiten. Das bedeutet, dass FETs entweder Elektronen oder Löcher als Ladungsträger nutzen, nicht jedoch beides. Feldeffekttransistoren weisen im Allgemeinen eine sehr hohe Eingangsimpedanz bei niedrigen Frequenzen auf.