JFETs

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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Klasse	Qualifizierung	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
2N4858 JFET N-CH 40V TO18 Microchip Technology	100 Vorrätig	1 : 52,69000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	8 mA @ 15 V	-	4 V @ 500 pA	18pF bei 10V	60 Ohms	360 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
2N4416A JFET N-CH 35V TO72 Microchip Technology	97 Vorrätig	1 : 60,61000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	35 V	5 mA @ 15 V	-	2.5 V @ 1 nA	4pF bei 15V	-	300 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AF, TO-72-4 Metallgehäuse	TO-72
2N4393 JFET N-CH 40V TO18 Microchip Technology	100 Vorrätig	1 : 16,86000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	1.8 W	-55°C bis 125°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	-	TO-18
2N3823 JFET N-CH 30V TO72 Microchip Technology	36 Vorrätig	1 : 34,50000 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	30 V	30 V	20 mA @ 15 V	-	8 V @ 500 pA	6pF bei 15V	-	300 mW	-55°C bis 200°C (TJ)	Militärtechnik	MIL-PRF-19500/375	Durchkontaktierung	TO-206AF, TO-72-4 Metallgehäuse	TO-72
2N2609 JFET P-CH 30V 10MA TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 9,76530 € Tasche	-	Tasche	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	2 mA @ 5 V	10 mA	750 mV @ 1 A	10pF bei 5V	-	300 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18 (TO-206AA)
2N5277 JFET Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 11,84970 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4392 JFET N-CH 40V TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 15,80830 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF bei 20V	60 Ohms	1.8 W	-55°C bis 125°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	-	TO-18
2N4391 JFET N-CH 40V TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 15,98340 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	50 mA @ 20 V	-	4 V @ 1 nA	14pF bei 20V	30 Ohms	1.8 W	-55°C bis 125°C (TJ)	-	-	Durchkontaktierung	-	TO-18
2N3822 JFET N-CH 50V TO72 Microchip Technology	0 Vorrätig	100 : 21,47460 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich	N-Kanal	50 V	50 V	10 mA @ 15 V	-	6 V @ 500 pA	6pF bei 15V	-	300 mW	-55°C bis 200°C (TJ)	Militärtechnik	MIL-PRF-19500/375	Durchkontaktierung	TO-206AF, TO-72-4 Metallgehäuse	TO-72
2N3821 JFET N-CH 50V TO72 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 21,47470 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	50 V	50 V	2.5 mA @ 15 V	-	4 V @ 0.5 nA	6pF bei 15V	-	300 mW	-55°C bis 200°C (TJ)	Militärtechnik	MIL-PRF-19500/375	Durchkontaktierung	TO-206AF, TO-72-4 Metallgehäuse	TO-72
MQ2N4392 JFET N-CH TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 23,96210 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18 (TO-206AA)
MQ2N4393 JFET N-CH TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 23,96210 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18 (TO-206AA)
MQ2N4391 JFET N-CH TO18 Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 23,96210 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18 (TO-206AA)
2N4391UB JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,01460 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4392UB JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,01460 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4393UB JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,01460 € Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4392UB/TR JFET Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,15470 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	*	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4393UB/TR JFET Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,15470 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N4391UB/TR JFET Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 24,15470 € Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N5546 JFET - DUAL Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 27,64910 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N5545 JFET - DUAL Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 27,64910 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2N5547 JFET - DUAL Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 27,64910 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MX2N4391 JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 28,39340 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MX2N4392 JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 28,39340 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
MX2N4393 JFET N-CH Microchip Technology	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	100 : 28,39340 € Lose im Beutel	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.

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